삼성전자가 영국 반도체 설계업체 Arm(암)과 함께 게이트올어라운드(GAA) 공정 기반 최첨단 반도체를 만든다. 사진은 삼성전자 평택캠퍼스. (자료=삼성전자)

[한국정경신문=이정화 기자] 삼성전자가 영국 반도체 설계업체 Arm(암)과 함께 게이트올어라운드(GAA) 공정 기반 최첨단 반도체를 만든다.

삼성전자 파운드리 사업부는 GAA 기반 최첨단 공정에 Arm의 차세대 시스템온칩(SoC) IP을 최적화해 양사 협력을 강화한다고 21일 밝혔다.

이를 통해 팹리스(반도체 설계 전문회사) 기업의 최첨단 GAA 공정에 대한 접근성을 높이고 차세대 제품 개발에 소요되는 시간과 비용을 최소화할 방침이다.

GAA 기술은 공정 미세화에 따른 트랜지스터 성능 저하를 극복하고 데이터 처리 속도와 전력 효율을 높이는 차세대 반도체 핵심 기술로 주목받는다.

삼성전자는 지난 2022년 6월 세계 최초로 GAA를 3나노 공정에 도입했다. 현재 GAA 기반 3나노 1세대를 양산 중이고 2세대 공정을 개발하고 있다.

삼성 파운드리는 2018년 7월 Arm과 7나노, 5나노 핀펫 공정 기술로 협력 확대를 발표하는 등 Arm과 10년 넘게 협력을 이어오고 있다.

두 회사의 협업으로 팹리스 고객들은 생성형 AI 시대에 맞는 SoC 제품 개발 과정에서 Arm의 최신형 CPU 접근이 용이해진다.

양사는 팹리스 기업에 적기에 제품을 제공하면서도 우수한 PPA(소비전력·성능·면적) 구현에 초점을 맞출 예정이다.

또 차세대 데이터센터와 인프라 맞춤형 반도체를 위한 2나노 GAA와 미래 생성형 AI 모바일 컴퓨팅 시장을 겨냥한 AI 칩렛 솔루션을 순차적으로 선보이는 등 다양한 영역에서 협력을 늘릴 방침이다.

계종욱 삼성전자 파운드리 사업부 디자인플랫폼개발실 부사장은 “양사는 다년간 쌓아온 견고한 파트너십을 통해 최첨단 기술과 노하우를 축적해왔으며, 이번 설계 기술 최적화를 통해 팹리스 고객들에게 최선단 GAA 공정 기반 초고성능, 초저전력 코어텍스-CPU를 선보이겠다”고 말했다.

한국정경신문 이정화 기자 joyfully3355@naver.com 이정화 기자의 기사 더보기

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